После создания первых кремниевых интегральных схем в 1959 г. их конструкция и технология непрерывно и быстро развиваются и совершенствуются. В настоящее время насчитывается несколько десятков различных конструктивно-технологических базовых процессов изготовления кремниевых интегральных схем, по которым выпускаются сотни различных типов миллионами экземпляров. Основой каждого базового конструктивно-технологического процесса является способ электрической изоляции компонентов интегральной схемы. В первых интегральных схемах изоляции компонентов осуществлялась с помощью р-п перехода, к которому приложено обратное напряжение. Этот способ изоляции по сей день остается самым распространенным. Однако использование обратносмещенного p-n перехода в качестве изоляции между компонентами приводит к ухудшению электрических характеристик схем, снижению их быстродействия и устойчивости к радиации.